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      漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      250

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      280

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      15

      通道极性：

      N沟道

      封装（zhuāng）/温度(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述：

      600V,280mΩ,15A,N沟道（dào）基于超级结（jié）技术（shù）的功（gōng）率MOSFET


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